Produktoversikt
Ion Beam Etching (IBE)-systemet vårt er et høy-materialbehandlingsutstyr designet for mikro-nanofabrikasjonsindustrien. Den bruker en fokusert og kontrollerbar ionestråle for å utføre fysisk etsing på overflaten av tynne-filmmaterialer, noe som muliggjør selektiv etsing eller løfte-av prosesser med høy presisjon.
Dette systemet er profesjonelt utviklet for å behandle et bredt spekter av tynne-filmmaterialer, inkludert, men ikke begrenset til, Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag og Al₂O₃. Den støtter standard waferstørrelser på 6 tommer og 8 tommer, noe som gjør den svært kompatibel med ordinære halvleder- og mikro-elektro-mekaniske systemer (MEMS) produksjonsprosesser. Ved å utnytte lav-temperatur- og lav-skadeetsingsteknologi gir den en ideell løsning for klargjøring av-mikro{10}}mikro{10}}nanoenheter med høy ytelse.
Fordeler
Høy presisjon og prosesskontroll
Systemet er integrert med et avansert etseendepunktdeteksjonssystem, som muliggjør sann-tidsovervåking og presis kontroll av hele etseprosessen. Dette sikrer utmerket repeterbarhet og nøyaktighet, med en ensartethet på Mindre enn eller lik ±5 % (både innen wafer og wafer-til-wafer), og garanterer konsistente resultater av høy-kvalitet på tvers av produksjonspartier.
Overlegen prosesskompatibilitet
Den tilfredsstiller krav til flere-vinkler, lav-temperatur (0 grader – 30 grader) og lav-skadeetsing. Denne egenskapen er avgjørende for å beskytte temperatur-sensitive og skjøre materialer, minimere substratskade og bevare de iboende egenskapene til de tynne filmene, og dermed forbedre enhetens utbytte og ytelse betydelig.
Fleksibel og skalerbar konfigurasjon
For å møte ulike produksjons- og FoU-behov tilbyr systemet en valgfri klyngeverktøyarkitektur. Denne modulære utformingen tillater integrering av flere prosesskamre, og letter sømløs prosessintegrasjon, høy-volumproduksjon og effektiv arbeidsflytautomatisering, noe som gjør den egnet for både laboratorieforskning og industriell masseproduksjon.
Søknader
Ion Beam Etching System er en kritisk del av utstyret innen avansert mikro-nanoproduksjon, med et bredt spekter av bruksområder:
1. Fremstilling av halvlederenheter
Den brukes til nøyaktig mønster av metallelektroder, sammenkoblinger og portstrukturer i integrerte kretser (IC), samt for trimming og justering av tynnfilmmotstander og kondensatorer.
2. MEMS & NEMS produksjon
Den spiller en viktig rolle i produksjonen av mikro-sensorer, mikro-aktuatorer og andre MEMS/NEMS-enheter, noe som muliggjør skaping av mikrostrukturer med høyt-aspekt-forhold og suspenderte strukturer med høy presisjon.
3. Produksjon av optoelektroniske enheter
Den brukes til behandling av tynne-filmmaterialer i lasere, fotodetektorer og optiske bølgeledere, noe som letter produksjonen av optoelektroniske komponenter med høy-ytelse.
4. Avansert pakking og sammenkobling
Den brukes i avanserte pakketeknologier for selektiv etsing av redistribusjonslag (RDL) og klargjøring av høy-humpstrukturer.
FAQ
Spørsmål: 1. Hva er et Ion Beam Etching (IBE) system?
A: Et Ion Beam Etching (IBE) System er et høy-mikro-nanobehandlingsutstyr som bruker en fokusert ionestråle for å utføre fysisk etsing på tynne-filmmaterialer. Den brukes hovedsakelig til selektiv etsing og stripping av forskjellige tynne filmer, og er mye brukt i halvledere, MEMS, optoelektronikk og andre felt.
Spørsmål: 2. Hvilke materialer er IBE-systemet egnet for?
A: Dette IBE-systemet er egnet for selektiv etsing eller stripping av tynne-filmmaterialer som Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag og Al₂O₃, og kan dekke behandlingsbehovene til ulike vanlige metaller og dielektriske tynnfilmer.
Spørsmål: 3. Hvilke waferstørrelser støtter ionestråle-etsemaskinen?
A: Ionestråle-etsemaskinen støtter to standard waferstørrelser: 6 tommer og 8 tommer, som er kompatibel med standard wafer-prosessspesifikasjoner i industrien og oppfyller behovene til FoU og små-batchproduksjon.
Spørsmål: 4. Hva er fordelene med ion beam etseteknologi?
A: Ionestråleetsing har fordelene med lav temperatur (0 grader ~30 grader), lav skade, multi-vinkelbehandling og høy ensartethet. Det kan redusere termisk stress og materielle skader, og sikre stabiliteten og konsistensen av etseprosessen.
Spørsmål: 5. Hva er etsningsuniformiteten til IBE-systemet?
Ja, ionestråle-etsemaskinen er integrert med et avansert etseendepunktdeteksjonssystem, som kan overvåke etseprosessen i sanntid, realisere presis kontroll av etseprosessen og unngå over-etsing eller under-etsing.
Spørsmål: 6. Har ionestråle-etsemaskinen en endepunktdeteksjonsfunksjon?
A: Ja, ionestråle-etsemaskinen er integrert med et avansert etseendepunktdeteksjonssystem, som kan overvåke etseprosessen i sanntid, realisere presis kontroll av etseprosessen og unngå over-etsing eller under-etsing.
Spørsmål: 7. Kan IBE-systemet konfigureres med flere prosesskamre?
A: Ja, IBE-systemet støtter en valgfri klyngearkitektur, som kan utstyres med flere etseprosesskamre for å møte behovene til fleksibel prosessbytte og forbedret produksjonseffektivitet.
Populære tags: ibe system, Kina ibe system produsenter, leverandører
