Leverandører av produsenter av måle- og analyseutstyr i Kina

Din profesjonelle leverandør av måle- og analyseutstyr

Nice-tech er en profesjonell leverandør av halvlederutstyr med en dedikert fabrikk og et erfarent teknisk team. Våre operasjoner støttes av flere produksjonslinjer utstyrt med standardisert prosesskontroll og nøkkelhalvlederrelatert-utstyr for å sikre stabil kvalitet og levering. Selskapet støttes av et dyktig team av ingeniører, teknikere og prosjektspesialister med solid bransjeerfaring, noe som muliggjør effektiv koordinering mellom utstyrsleverandører og sluttbrukere.

VPD-system
Nice-Techs VPD-system står som et kjerneinspeksjonsverktøy for forurensningskontroll av halvlederspormetaller – bygget spesielt for å øke deteksjonsfølsomheten for avansert IC-produksjon.
Vis flere

hvorfor velge oss

Skreddersydd løsningslevering

Vårt erfarne team analyserer kundenes spesifikke behov for å matche det best egnede halvlederutstyret og tilbyr tilpassede løsninger for ulike produksjons- og FoU-scenarier.

Omfattende teknisk støtte

Vi tilbyr teknisk assistanse i full-syklus, fra igangkjøring av utstyr til vedlikehold, inkludert feilsøking på stedet og sann-online konsultasjon, noe som reduserer driftsproblemer.

Støtte for avanserte prosesser

Vi investerer kontinuerlig i bransjeinnsikt og tilpasser oss banebrytende-teknologitrender, og tilbyr høy-utstyrsløsninger og oppgraderingstjenester for å møte høye-brikkeproduksjonsbehov.

Tjenestefordeler

Tilby 1v1 online støtte for utstyrsdrift, parameterjustering og prosessoptimalisering, svar på spørsmålene dine umiddelbart.

VPD-system

VPD-systemet (Vapor Phase Decomposition) er et kjernedeteksjonsverktøy for å kontrollere spormetallforurensning i halvlederproduksjon. Den bruker en kombinasjon av kjemisk dampfasedekomponering og massespektrometri med høy-følsomhet for å oppnå presis deteksjon og overvåking av ultra-spormetallforurensning på waferoverflater.

Kategori	VPD-system
Wafer-kompatibilitet	8-tommers, 12-tommers (native); 6-tommers (valgfritt, via dedikerte skuffer)
Deteksjonsgrense (med ICP-MS/MS)	105-108 atomer/cm2; dekker elementene 7Li til 238U
Prosess arbeidsflyt	Dampfasedekomponering → Presisjonsdråpeskanning → Innsamling av forurensninger
Full-behandlingstid for wafer	Mindre enn eller lik 60 sekunder (radial rask-skanningsdyse)
Samplingsmoduser	Full-wafer, sonal, ringformet; støtter oppsamling av kant/avfasing
Dekomponeringsmedium	HF-damp med høy-renhet (kontrollerbar konsentrasjon og strømningshastighet)
Kompatible analyseverktøy	ICP-MS, ICP-MS/MS, TXRF
Automatiseringsprotokoll	Støtter SECS-GEM; kan integreres i automatiserte halvlederproduksjonslinjer
Bransjeoverholdelse	Samsvar med SEMI-standarder
Gjeldende wafertyper	Bare wafere, mønstrede wafere, tykke oksidlagswafere, wafere av nye materialer

Fordeler med VPD System

Ultra-lav deteksjonsgrense:

I stand til å oppdage metallforurensningskonsentrasjoner så lave som 1 × 10⁸ atomer/cm² (tilsvarer nøyaktig lokalisering av et enkelt sandkorn i et standard svømmebasseng), med følsomhet 1-2 størrelsesordener høyere enn tradisjonelle metoder (som TXRF).

Omfattende elementær dekning:

Støtter samtidig analyse av over 70 grunnstoffer fra litium (Li) til uran (U), og dekker viktige forurensninger av bekymring i halvlederindustrien.

Ikke-destruktiv testing:

Unngår forurensning introdusert ved mekanisk sliping gjennom kjemisk dampetsing, og sikrer nøyaktigheten av testresultatene.

Fleksibel prøvetaking:

Støtter mønstrede prøvetakingsmetoder som full skanning, regional skanning og ringformet skanning, tilpasset ulike prosesskrav.

Sterk anti-interferensevne:

ICP-MS/MS sin kollisjonsreaksjonscelle-teknologi (CRC) eliminerer massespektrometriinterferens, og skiller nøyaktig mellom isotoper med samme massetall (f.eks. ⁵²Cr og ⁴⁰Ar¹²C).

Anvendelser av VPD-systemet

01.

Råvareinspeksjon:

Testing av metallurenhetsinnholdet i silisiumskiver ved ankomst for å sikre renheten til basismaterialene.

02.

Front-prosessovervåking:

Overvåking av metallforurensningsnivået på waferoverflaten etter prosesser som oksidasjon, diffusjon og etsing for å forhindre spredning av forurensning.

03.

Ioneimplantasjonsanalyse:

Evaluering av metallurenheter introdusert under ioneimplantasjonsprosessen og optimalisering av dopingensartethet.

04.

Testing av ferdige produkter:

Utføre metallforurensningsanalyse på sluttproduktet for å sikre utbytte og pålitelighet.

Teknologi av VPD System

Damp-fasedekomponering:

Waferen plasseres i et HF-dampmiljø for å dekomponere overflateoksidlaget (som SiO2), og eksponere og avsette metallforurensninger (som Fe, Cu, Na, etc.) på waferoverflaten.

Dråpeskanning:

Et lite volum av skanningsvæske (som en fortynnet syreløsning) rulles over waferoverflaten for å samle opp de oppløste metallforurensningene, og danner en anriket løsning.

Massespektrometrianalyse:

Den berikede løsningen overføres til et ICP-MS (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer) eller ICP-MS/MS (Tandem Mass Spectrometer) for kvantitativ analyse av ultra-spormetaller.

Driftsmiljø Kontroll av VPD System

Klassekrav for renrom:VPD-ICP-MS-systemet krever et ekstremt rent miljø, som vanligvis opererer i et klasse 100 eller lokalisert klasse 10 ultra-rent miljø. Hvis miljørenheten er utilstrekkelig (f.eks. klasse 1000 eller klasse 10000 renrom), påvirkes testresultatene lett av lettmetallpartikler som natrium, magnesium og kalsium i luften, noe som fører til økte bakgrunnsverdier og forringede deteksjonsgrenser.

Temperatur- og fuktighetsstyring:Driftsmiljøet må opprettholde en konstant temperatur (22±2 grader) og fuktighet (45%±5% RF) for å forhindre at fuktighet eller partikler adsorberes på waferoverflaten, noe som påvirker gass-fasenedbrytningseffektiviteten. For eksempel kan høy luftfuktighet føre til ujevn kondensering av HF-damp, noe som resulterer i ufullstendig dekomponering av oksidlaget.

Eksempel for-forbehandlingsspesifikasjoner for VPD-systemet

Vaffelrengjøring og for-forbehandling:

Wafere må gjennomgå standard SC1 (ammoniakk + hydrogenperoksid + ultrarent vann) og SC2 (saltsyre + hydrogenperoksid + ultrarent vann) renseprosesser for å fjerne organisk materiale og metallpartikler på overflaten.

Etter rengjøring må skivene skylles tre ganger med ultrarent vann, umiddelbart tørkes med en nitrogenpistol og deretter overføres til VPD-kammeret for å unngå sekundær forurensning.

Nøkkelpunkter for drift av VPD-kammeret:

Eksponeringstid for HF-damp:Dette må justeres i henhold til tykkelsen på waferoksidlaget (f.eks. er naturlig oksidlag ca. 0,25 nm, termisk oksidlag kan nå 100 nm), vanligvis 5-15 minutter. Utilstrekkelig tid vil føre til ufullstendig dekomponering, mens overdreven tid kan korrodere silisiumsubstratet.

Valg av skanneløsning:En 1 % fortynnet salpetersyreløsning anbefales på grunn av dens høye metalloppløsningshastighet og lave bakgrunnsverdi. Reagenser som inneholder natrium og kalium bør unngås for å forhindre interferens.

FAQ

Spørsmål: Hva er handelsbegrepet for å velge?

A: FOB, EXW, CIF, CFR, DDP, DDU.

Spørsmål: Støtter du tilpassede løsninger?

A: Ja, vi tilbyr skreddersydde løsninger basert på kundens behov, enten det er spesifikasjoner, funksjoner eller utseendedesign, med sikte på å møte spesifikke kundekrav.

Spørsmål: Hva er minimum bestillingsmengde (MOQ)?

A: MOQ varierer avhengig av produkttype. Ta kontakt med våre salgsrepresentanter for siste informasjon.

Spørsmål: Hva er leveringstiden?

A: Vi lover å produsere innen 3 til 4 uker for mengdeproduksjon

Spørsmål: Hva er betalingstiden din?

A: Vi aksepterer betaling med T/T eller L/C

Som en av de mest profesjonelle produsentene og leverandørene av måle- og analyseutstyr i Kina, kjennetegnes vi av kvalitetsprodukter og god pris. Vær trygg på å kjøpe tilpasset måle- og analyseutstyr fra fabrikken vår. For tilbud og prisliste, kontakt oss nå.