Ionestråleformingssystem

Ionestråleformingssystem

Leuven Instruments tilbyr 8-tommers (IBS-8) og 12-tommers (IBS-12) IBS-systemer, begge basert på fysisk sputtering: positive ioner fra ionekilden akselereres, nøytraliseres og bombarderes prøveoverflaten for å danne mønstre.
Sende bookingforespørsel
Beskrivelse

Produktoversikt

Leuven Instruments tilbyr 8-tommers (IBS-8) og 12-tommers (IBS-12) IBS-systemer, begge basert på fysisk sputtering: positive ioner fra ionekilden akselereres, nøytraliseres og bombarderes prøveoverflaten for å danne mønstre.

01/

Vanlig design:Plasmagenerering separeres fra waferområdet for å unngå interferens fra ikke-flyktige biprodukter; begge støtter enkelt-/klyngekammerkonfigurasjoner.

02/

Forskjeller:12--tommerssystemet er skreddersydd for 12--wafermasseproduksjon med en ionekilde med stor diameter; 8-tommers systemet er kompatibelt med 8/6/4-tommers wafere, ideelt for middels liten skala produksjon og FoU.

 

Fordeler

Vanlige fordeler

1.Bred materialkompatibilitet: Behandler metaller, legeringer, oksider, halvledere, isolatorer, etc.
2.Fleksibel kontroll: Uavhengig justering av ionestråleenergi/tetthet; -90 grader til +80 graders trinnhelling for skråmønstre/rengjøring av sidevegger; roterbart trinn for jevnhet.

Differensierte fordeler

1,12-tommers (IBS-12):<1% etch uniformity (1σ), suitable for high-precision 12-inch advanced processes (e.g., emerging memory).
2,8-tommers (IBS-8):<3%/2% uniformity (standard/large ion source); compact size, cost-effective, fit for mature nodes and R&D.

 

Fordeler

Ultra-høy ​​ensartethet og presisjon

Ionekilden med stor-diameter treffer<1% etching uniformity (1σ)-super consistent. You can tweak ion beam settings independently, dialing in parameters just right to cut down material damage.

Bred materialkompatibilitet

Ingen kjemikalier-som RIE-håndterer alle faste stoffer der ute, fra Ta- og MTJ-lag til isolatorer. Perfekt for de vanskelige materialstablene i avanserte enheter.

Fleksibel tilpasningsevne

Waferscenen vipper fra -90 grader til +80 grader, flott for skrå strukturer. Legg til rotasjon på aksen for å øke symmetrien, og den vil passe alle slags mønsterbehov.

Masseproduksjons pålitelighet

Den er klar til å settes inn i 12-tommers fabrikker, og fungerer med alle typer overføringsmoduler. Fysisk sputtering betyr at ingen kjemiske rester-kutter vedlikeholdsproblemer og holder driften stabil over lang tid.

 

Søknader

 

Vanlige applikasjoner
Halvledermønster (logikk/minneenheter); fabrikasjon av skråstilte/blaserte rister; post-etch-rensing av sidevegger.


Differensierte applikasjoner
1,12-tommers: Nøkkelprosess for 12-tommers nye minne (f.eks. MRAM MTJ), integrert med LMEC-300™ for masseproduksjon.
2,8-tommers: 8-tommers modne noder (f.eks. 0,11μm poly gate-etsing); MEMS/optoelektronisk FoU.

 

Parametere

 

Kategori

8-tommers IBS-system

12-tommers IBS-system

Modell

Lorem A-serien

Pangea A-serien

Wafer-kompatibilitet

8-tommers (primær); 6-tommers/4-tommers (valgfritt, via kompatible elektroder)

12-tommers (eksklusivt)

Etsenhet (1σ)

<3% (standard ion source); <2% (optional large-diameter ion source)

<1% (large-diameter ion source as standard)

Ionestrålekontroll

Uavhengig justering av ionestråleenergi og fluks

Uavhengig justering av ionestråleenergi og fluks

Stage Tilt Range

-90 grader til +80 grader (muliggjør vippet ionestråleinsidens)

-90 grader til +80 grader (muliggjør vippet ionestråleinsidens)

Stage funksjon

Roterbar under prosess (forbedrer prosess aksesymmetri)

Roterbar under prosess (forbedrer prosess aksesymmetri)

Kammerkonfigurasjon

Enkelt-kammer- eller klyngekonfigurasjoner (valgfritt)

Integrerbar i ulike klyngesystemer (kompatibel med store-produksjonslinjer)

Materialkompatibilitet

Metaller, legeringer, oksider, forbindelser, halvledere, isolatorer og andre faste materialer

Metaller, legeringer, oksider, forbindelser, halvledere, isolatorer og andre faste materialer

Kjerneapplikasjonsscenarier

8-tommers modne prosessnoder (større enn eller lik 0,11μm), poly-gate-etsing, STI-hjelpebehandling, FoU (MEMS/optoelektronikk)

12-tommers avanserte prosesser, nye minne (MRAM MTJ, PCRAM faseendringslag) masseproduksjon

 

FAQ

 

Spørsmål: Hvordan velge mellom 8-tommers og 12-tommers IBS-systemer?

A: Velg basert på waferstørrelse og produksjonsskala. Velg 12-tommer for 12-tommers wafermasseproduksjon med høy presisjon; 8-tommers er ideell for 8/6/4-tommers wafere, små-middels produksjon eller FoU.

Spørsmål: Kan systemene behandle ikke-halvledermaterialer?

A: Ja. Begge støtter nesten alle faste materialer, inkludert metaller, oksider, isolatorer og kompositter, utover halvledersubstrater.

Spørsmål: Kan 8-tommers systemet oppgraderes for å håndtere større wafere?

A: Nei. 8-tommers systemet er strukturelt designet for 8-tommers og mindre wafere; 12-tommers wafere krever den dedikerte Pangea A-serien.

Spørsmål: Hva sikrer prosessstabiliteten til de to systemene?

A: Den atskilte utformingen av plasmaproduksjonen og waferområdet unngår biproduktinterferens, pluss roterbare trinn og standard-kompatible komponenter garanterer stabilitet.

 

Populære tags: ionestråleformingssystem, Kina ionestråleformingssystemprodusenter, leverandører

Sende bookingforespørsel