Produktoversikt

Reactive Ion Etching (RIE)-maskiner er høyytelses-tørre etsingsverktøy bygget rundt radiofrekvensutladningsteknologi. Kjernetrikset deres? Sammenkoble fysisk bombardement med kjemiske reaksjoner for nøyaktig å fjerne målmaterialer-ingen oppstyr, bare nøyaktighet.

De passer perfekt for halvlederindustriens hele arbeidsflyt, fra FoU til full-produksjon. Silisium, sammensatte halvledere, alle slags dielektriske materialer-nevner du substratet, de kan etse det med presisjon. Og de er hjemme i nøkkelprosesser for banebrytende-teknologi: integrerte kretser, optoelektroniske enheter, 5G-kommunikasjonsutstyr, til og med kvantebrikker.

Legg til digital smartkontroll og automatisk konstanttrykkjustering, og du får-solid prosess-repeterbarhet og etsekonsistens hver gang. Enten du kjører små-batch laboratorietester eller churner ut produkter på en fabrikk, tilpasser disse maskinene seg sømløst. Trenger du ekstra ytelse? Velg lastekammeret LOAD LOCK. Det reduserer atmosfærisk forurensning, øker belastningen og holder kammerets vakuumtett-alt for å skape et rent, stabilt miljø for høy-presisjonsetsing. Bunnlinjen: det hjelper kundene å jevne ut de tekniske knekkene fra enhets-FoU hele veien til masseproduksjon.

Søknader

RIE-maskiner skinner med presis etsing og multi-materialtilpasning-de er et godt valg- for halvleder-FoU og produksjon. Her er hvor de virkelig leverer:

1.Integrated Circuit (IC) Produksjon: Flott for logiske brikker og minne (DRAM, NAND Flash inkludert). Den spikrer mikro-til-nanoskala etsing på silisiumsubstrater og polysilisiumporter, og holder kretsstrukturer og elektrisk ytelse stabil.
2. Optoelektronisk enhetsproduksjon: Passer rett inn i LED- og VCSEL-produksjon. Den etser safir, GaN-baserte materialer og SiO₂ dielektriske lag for å bygge lys-emitterende områder og bølgelederstrukturer, noe som øker effektiviteten av fotoelektrisk konvertering.
3. 5G Communication Device Processing: Perfekt for 5G RF-utstyr (filtre, effektforsterkere). Den etser GaAs-, GaN- og SiC-substrater for å lage høy-mikro-nanostrukturer, og sørger for at signalene holder seg stabile selv under høy-høyfrekvente-effektforhold.
4. Avansert halvlederforskning: Støtter lav-skadeetsing for kvantebrikker (superledende, kvantepunkttyper) og mikro-nanobehandling av banebrytende-materialer som silisiumkarbid og 2D-materialer-perfekt for forskningsinstitusjoners prosessutforskning.
5. MEMS og sensorfelt: Håndterer MEMS-enheter (akselerometre, mikrospeil) og halvledersensorer. Den etser silisium- og silisiumbasert-dielektrikum for å danne 3D-mikrostrukturer, noe som sikrer solid mekanisk ytelse og deteksjonsfølsomhet.

Fordeler

1.Topp-presisjon:

Fysisk og kjemisk etsing slår seg sammen for å nå mikro-til-nøyaktighet i nanoskala-på linje med hva mikro-nanoproduksjon krever.

2. Bred materialkompatibilitet:

Spiller bra med silisium, sammensatte halvledere, dielektrikum og mer, og dekker prosesseringsbehov på tvers av alle slags felt.

3. Høy stabilitet:

Har digital temperaturkontroll og konstant trykkregulering, som holder prosessene konsistente og reduserer rotete svingninger.

4. Lite materielle skader:

Holder underlagsskader og forurensning på et minimum, slik at materialenes opprinnelige egenskaper forblir intakte.

5. Stor fleksibilitet:

Du kan velge et LOAD LOCK-kammer, og vi støtter også skreddersydde oppsett for å passe til enhver brukssak du har.

Parametere

Punkt	Spesifikke indikatorer
Gjeldende waferstørrelse	8 tommer og under
Etsningshastighet	0,1-4μm/min(spesifikk verdi avhenger av typen materiale som skal etses og faktiske prosessparametere)
Etsningsuniformitet	±5 %(basert på 6-tommers wafer, beregningsmetode: (Maksimal verdi- minimumsverdi)/(2xGjennomsnittsverdi))
Substrat Stage Cooling Method	Vannkjøling
Kontrollmetode	Full digital automatisk kontroll
Trykkkontroll	Automatisk konstant trykkjustering (sikker prosess stabilitet)
Valgfri konfigurasjon	LOAD LOCK lastekammer (kan redusere atmosfærisk forurensning, forbedre lasting effektivitet og kammer vakuumretensjonskapasitet)