Ved å dekke overflaten av et substrat som en silisiumplate med en svært lysfølsom fotoresist, og deretter bestråle substratoverflaten med spesifikt lys (vanligvis ultrafiolett lys, dypt ultrafiolett lys, ekstremt ultrafiolett lys) gjennom en maske som inneholder informasjon om målmønster, vil fotoresisten som bestråles av lyset reagere. Derfor vil området som bestråles etter utvikling gi andre effekter enn området som ikke er bestrålet (avhengig av egenskapene til fotoresisten).
