Wafer-rengjøring refererer til prosessen med å bruke kjemiske eller fysiske metoder for å fjerne forurensninger og oksider fra overflaten av en wafer under produksjonen av integrerte kretser, for å oppfylle renslighetskravene til waferoverflaten. Prinsippet med waferrens er å fjerne ulike urenheter uten å skade waferen.
Det er fire hovedmekanismer for fjerning av partikler: oppløsning, oksidativ dekomponering, elektrisk frastøting mellom partikler og silisiumwaferoverflater, og lett korrosjon av silisiumwaferoverflater.
For fjerning av metallpartikler brukes vanligvis SC-2-løsning eller HPM-løsning for å redusere metallinnholdet på waferoverflaten. SC-2-løsningen gjennomgår krystallisering, noe som kan øke antallet partikler på waferoverflaten etter rengjøring. Derfor kan HF brukes i stedet for HCL, eller O3 kombinert med HF kan brukes i stedet for SC-2-løsning for å effektivt fjerne metallpartikler.
For organiske forurensninger brukes vanligvis SPM-løsning eller UV/ozon-renseteknologi for fjerning.
Etter våtrengjøring må waferen tørkes grundig for å sikre at det ikke er vannmerker på overflaten før du går inn i neste prosess. De tre vanligste tørkemodusene som er tilgjengelige for øyeblikket er roterende tørking, Marangoni-tørking og varm isopropanol-forstøvningstørking.
