Fotoresist er en blanding av polymerer og noen forbindelser, hvorav den viktigste er en fotosyregenerator (PAG). Når fotoner treffer PAG, produseres en syre som reagerer med polymeren, bryter den ned og får den til å løses opp av utvikleren.
Fotolitografi fotoresist er vanligvis delt inn i to typer: positiv fotoresist og negativ fotoresist.
Positiv fotoresist: Den eksponerte delen er løselig i fremkallingsløsningen, mens den ueksponerte delen er uoppløselig i fremkallingsløsningen. Etter fremkalling er det gjenværende fotoresistmønsteret på underlaget det samme som målmønsteret på maskeplaten.
Negativ fotoresist: Den eksponerte delen er uløselig i fremkallerløsningen, mens den ueksponerte delen er løselig i fremkallingsløsningen. Det gjenværende fotoresistmønsteret på underlaget etter fremkalling er komplementært til målmønsteret på maskeplaten.
Derfor, for positiv fotoresist, etsing av substratet uten fotoresistbeskyttelse etter at fotolitografi er fullført, og til slutt vasking av gjenværende fotoresist, oppnår en- konstruksjonsprosess for halvlederenheter på substratoverflaten.
